40나노 1GB DDR2 SoDIMM-3

삼성전자가 세계 최초로 40나노급 (1나노= 10억분의 1미터) 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다. 이로써 삼성전자는 2005년 60나노급 D램 개발에 이어 2006년 50나노급 D램, 올해 40나노급 D램 제품 개발을 잇달아 성공했다.

특히 이번 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급 업체 중 유일하게 작년 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료한 제품으로, 올해 1월 1기가바이트(GB) DDR2 SoDIMM 모듈까지 2종의 제품 채용 평가를 완료했다.

삼성전자는 이번에 개발한 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 적용한 '40나노급 2기가 DDR3 제품'의 개발을 올해 안에 완료하고 양산을 개시할 예정이다. 이는 50나노급에서 개발 후 양산까지 약 2년 정도 걸렸던 것에 비해 1년 이상 양산기간을 단축시킨 것이다.

'40나노급 2기가비트 DDR3 D램'은 지난해 9월 양산을 시작한 50나노 2기가비트 DDR3 D램 대비 생산성을 약 60%까지 향상시킬 수 있다. 삼성전자 관계자는 "현재 50~ 60나노급 D램을 양산하고 있는 D램 업체에 비해 1~2년 이상 제조 경쟁력의 격차를 확대시킬 것으로 기대된다"고 말했다.

이번 40나노급 D램은 기존 50나노급 1.5V D램에 비해 약 30% 이상 소비전력 감소 효과가 있어 서버 등 고전력을 소비하는 응용처에서 더욱 유용한 친환경·고효율 에너지 솔루션을 제공할 수 있다.

한편, 삼성전자는 향후 DDR4 등 초고속 스피드를 구현하는 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발, 업계 최고의 기술 리더십을 확보하고 경쟁력 우위를 지속적으로 유지해 나갈 방침이다.

윤종성 기자 jsyoon@asiae.co.kr
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