삼성전자가 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다고 4일 밝혔다.

삼성전자는 세계 최초로 지난 2005년 60나노급 D램 개발에 성공한 데 이어 2006년 50나노급 D램을 개발한 바 있다.

회사측은 "이번 제품 개발을 통해 삼성전자는 업계 최고 수준의 원가 경쟁력 확보는 물론, 최근 더욱 중요해지고 있는 친환경 제품(Green product) 경쟁력을 더욱 강화하게 됐다"고 밝혔다.

이번 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급 업체 중 유일하게 작년 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료한 데 이어 올해 1월 1기가바이트(GB) DDR2 SoDIMM 모듈까지 2종의 제품 채용 평가를 완료했다.

삼성전자는 이번에 개발한 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 적용해, 40나노급 2기가 DDR3 제품을 올해 안으로 개발을 완료하고 양산도 개시할 예정이다.

40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 지난해 9월 양산을 시작한 50나노 2기가비트 DDR3 D램 대비 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있어, 현재 50~60 나노급 D램을 양산하고 있는 D램 업체 대비 제조 경쟁력의 격차를 1~2년 이상으로 확대시킬 것으로 회사측은 전망하고 있다.

또 40나노급 D램은 50나노급 D램 대비 칩 면적 축소로 생산성이 향상될 뿐만아니라, 저전력·저전압 특성을 더욱 강화할 수 있는 1.2V 동작이 가능하다.

따라서 기존 50나노급 1.5V D램 대비 약 30% 이상 소비전력 감소 효과까지 발휘할 수 있어, 40나노급 D램은 서버 등 고전력을 소비하는 응용처에서 더욱 유용한 친환경·고효율 에너지 솔루션을 제공할 수 있다는 평가를 받고 있다.

회사측은 "40나노급 D램 시장을 선점함으로써 친환경 특성을 더욱 강화한 고부가가치 D램 시장을 창출해나갈 것"이라며 "향후 DDR4 등 초고속 스피드를 구현하는 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발해 업계 최고의 기술 리더십을 확보하고 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 계획"이라고 밝혔다.

김수희 기자 suheelove@asiae.co.kr
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