하이닉스반도체가 44나노 공정기술을 적용해 세계 최초로 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발해 올 3분기부터 양산에 들어간다.

8일 하이닉스에 따르면 이 제품은 미국 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품으로, 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정이다.

또 하이닉스측은 새 제품이 3차원 트랜지스터 기술로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 최소화하면서도 업계 최고 수준의 동작속도를 확보했다고 강조했다.

이 제품이 지원하는 최대 속도는 향후 차세대 DDR3의 표준 속도가 될 것으로 예상되는 2천133Mbps(초당 2천133Mb 데이터 처리)이며, 다양한 전압을 지원하는 것이 특징이다.

이 제품은 현재 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상돼 반도체 시황이 회복될 경우 하이닉스의 시장 지배력을 획기적으로 높일 수 있는 주력제품이 될 수 있을 것으로 기대를 모으고있다.

하이닉스 관계자는 "40나노급 공정은 대부분의 D램 업체들이 2010년 이후 개발을 목표로 하고 있는 차세대 D램 제조 공정 기술로, 올해 하반기 이후 시장의 주력 제품이 될 것으로 예상되는 DDR3에 주로 적용될 것으로 전망된다"며 "향후 수요가 급증할 것으로 기대되는 DDR3 시장을 선도할 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다.

윤종성 기자 jsyoon@asiae.co.kr
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