메모리반도체시장의 부진세가 장기화되고 있는 상황에도 불구, 삼성전자가 관련 연구·개발(R&D) 투자를 줄이지 않겠다고 강조했다.

권오현 삼성전자 반도체사업 사장은 11일 삼성증권이 신라호텔에서 국내외 기관투자자를 대상으로 개최한 삼성 글로벌 컨퍼런스에 참석, "기술 리더십을 확립하기 위해 올해 매출의 10% 이상을 반도체 R&D에 투자할 것"이라고 강조했다.

특히 "30나노 낸드플래시와 40나노 D램을 통해 주요 경쟁업체들과 1~1.5세대의 기술력격차를 더욱 벌려나가겠다"고 설명했다.

권 사장은 이어 올해 D램 출하량이 전년 대비 10∼15% 증가할 것으로 전망했다.

그는 "올해 D램 출하량은 전년 대비 10∼15%, 낸드플래시는 25∼30% 증가할 것"이라고 설명했다. D램의 경우 전년 동기 대비 40%대 중반의 상승률을 보일 것이라는 지난해 10월 전망치를 하향조정한 것이다.

삼성전자는 이밖에 향후 시장 전략으로 ▲D램·낸드플래시간의 유연한 생산 시스템 운영을 통한 멀티팹 운영 ▲업종 최고 수율 구축을 통한 조직 효율성 강화 등을 제시했다.

김현정 기자 alphag@asiae.co.kr
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