하이닉스반도체가 현재 10%대인 DDR3 D램의 생산 비중을 30%대로 확대한다. 삼성전자도 현재 10%대인 DDR3 D램의 생산 비중을 20% 이상으로 늘릴 계획인 것으로 알려졌다.

22일 하이닉스 관계자는 "하반기에는 DDR2 생산라인의 일부를 DDR3 생산라인으로 전환해 DDR3의 생산량을 늘려갈 계획"이라면서 "현재 10%대인 DDR3 D램의 비중을 하반기에는 30%대로 끌어올릴 계획이디"고 말했다.

이 관계자는 또 "인텔, AMD 등 CPU 업체들로부터 DDR3 공급 물량을 늘려달라는 주문을 받았다"면서 "5월 이후 이들 CPU업체로부터 받은 하반기 신제품 로드맵에는 DDR3를 채용한 모델이 DDR2 채용 모델보다 많았다"고 덧붙였다.

삼성전자 역시 하반기에는 DDR3 D램의 생산비중을 확대할 계획이다. 업계 한 관계자는 "삼성전자가 하반기에는 현재 10%대인 DDR3의 생산 비중을 20% 이상으로 늘려잡은 것으로 안다"고 전했다. 일부 DDR2 생산라인도 DDR3 생산라인으로 전환할 것으로 알려졌다.

DDR3는 기존 DDR2보다 속도가 2배 가량 빠르면서도 소비전력은 20% 정도 낮아 차세대 D램으로 주목받는 제품. 삼성전자와 하이닉스는 하반기부터 40나노급 공정을 도입, DDR3 D램을 양산할 계획이다. 마이크론· 엘피다 등 후발업체들이 아직 50나노급에서 D램 제품을 양산하지 못하는 상황이기에 이들과의 기술 격차는 최소 1년 이상 더 벌어질 것이라는 게 업계 관측이다.

한편, 시장조사기관인 데이터퀘스트는 올 연말 전체 D램에서 DDR3가 차지하는 비중이 50%를 넘어설 것으로 예측, 올 하반기를 기점으로 D램 주력 제품이 DDR2에서 DDR3로 교체될 것으로 내다봤다.

윤종성 기자 jsyoon@asiae.co.kr
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