Æ÷·³´º½º

KEC, ¼­¿ïµµ½Ãöµµ°ø»ç¿Í IGBT ¸ðµâ °³¹ß MOU

ÃÖÁ¾¼öÁ¤ 2009.08.31 10:18 ±â»çÀÔ·Â2009.08.31 10:18
±Û¾¾Å©°Ô ±Û¾¾ÀÛ°Ô ÀμâÇϱâ
KEC°¡ ¼­¿ïµµ½Ãöµµ°ø»çÀÇ 'Àüµ¿Â÷ ÁÖ¿äºÎÇ° ±¹»êÈ­ ÇÁ·ÎÁ§Æ®'°ø¸ð¿¡ äÅõŠIGBT ÆÄ¿ö ¸ðµâ °ø±ÞÀ» À§ÇÑ ¾çÇØ°¢¼­(MOU)¸¦ ü°áÇß´Ù.

31ÀÏ KEC´Â Áö³­ 28ÀÏ ¼­¿ïµµ½Ãöµµ°ø»ç¿Í ¾çÇØ°¢¼­¸¦ ü°áÇß´Ù¸ç À̹ø ÇÁ·ÎÁ§Æ®·Î ¼öÀÔ ´ëü ¹× ±¹³» ½ÃÀå È®´ë°¡ ±â´ëµÈ´Ù°í ¹àÇû´Ù.

¼­¿ïµµ½Ãöµµ°ø»ç´Â ±×µ¿¾È 25³âÀ¸·Î ¹­¿©ÀÖ´ø Àüµ¿Â÷ÀÇ »ç¿ë¿¬ÇÑÀ» 40³âÀ¸·Î ¿¬ÀåÇÏ°í 2011³â±îÁö Àüµ¿Â÷ ±â¼ú ÀÚ¸³ ¹× Àüµ¿Â÷ ÀÚü »ý»ê´É·ÂÀ» È®º¸Çϱâ À§ÇØ Àüµ¿Â÷ ºÎÇ° ±¹»êÈ­ ÇÁ·ÎÁ§Æ®¸¦ ÁÖµµÇÏ°í ÀÖ´Ù.

KEC´Â Àüµ¿Â÷ÀÇ ÇÙ½ÉÀÎ ÁÖȸ·Î ºÎ¹®ÀÇ 3300V/1200A±Þ ÇÏÀÌ ÆÄ¿ö IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) ¸ðµâÀ» °³¹ßÇØ °ø±ÞÇÏ°Ô µÈ´Ù.

ȸ»ç °ü°èÀÚ´Â "KECÀÇ IGBT¸ðµâÀº °í ½Å·Ú¼ºÀÇ ±â¼úÀ» ÇÊ¿ä·Î ÇÏ´Â ±â¼ú"À̶ó¸ç "ÇöÀç Àü·® ¼öÀÔ¿¡ ÀÇÁ¸ÇÏ°í ÀÖ¾î ¾ÕÀ¸·Î ¼öÀÔ´ëü ¹× ±¹³» ½ÃÀå È®´ë¿¡ Å©°Ô ±â¿©ÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù"°í ¸»Çß´Ù.


ÀÌ¼Ö ±âÀÚ pinetree19@asiae.co.kr
<¨Ï¼¼°è¸¦ º¸´Â â °æÁ¦¸¦ º¸´Â ´«, ¾Æ½Ã¾Æ°æÁ¦(www.asiae.co.kr) ¹«´ÜÀüÀç ¹èÆ÷±ÝÁö>
¸ñ·Ï