[아시아경제 이경호 기자] 산학연 전문가들이 모여 미래 반도체시장을 선점할 차세대 메모리를 공동 연구,개발하는 R&D센터가 한양대에 구축된다.

26일 지식경제부에 따르면 한양대는 이날 임채민 지식경제부 차관, 이명석 민주당 의원, 박영아 한나라당 의원,권오현 삼성전자 사장, 김종갑 하이닉스 사장, 고석태 케이씨텍 회장, 이용한 원익그룹 회장 등이 참석한 가운데 한양대 퓨전기술센터에서 '차세대메모리 산학연 공동연구센터' 개소식을 갖는다.

이 센터는 반도체 분야에서 최초로 국내 대기업과 대학이 상생협력으로 추진된 사업으로 올해부터 향후 3년간 지식경제부, 삼성전자, 하이닉스가 민관 50%씩 총 사업비 240억을 투입된다. 국내 최초, 세계에서는 뉴욕 알바니대학에 이어 두 번째로 대학에 300mm(12인치) 반도체 장비가 구축된다. 또 삼성전자 3명, 하이닉스 4명, 울박코리아 4명 등 각 사의 전문연구인력이 상주해 공동개발한다.

특히 차세대메모리 주력제품으로 유력한 스핀토크 자기메모리(STT-MRAM)에 대한 연구개발을 착수하게 된다. 이 사업은 한양대 주관, 삼성 하이닉스 KIST 고려대 성균관대 등이 참여한다. STT-MRAM은 자성 재료의 전자의 자화 방향 변화를 통한 전기적 저항 차이가 발생되는 현상을 정보 저장에 이용한 메모리다. 2015년 STT-MRAM 전 세계 시장은 530억달러로 전망되고 국내 업계의 생산규모는 239억달러를 차지할 것으로 예상된다.

한양대 차세대메모리사업단장 박재근 교수는 "이 센터가 200mm(8인치) 팹을 활용한 일본의 STT-MRAM기술수준과의 격차를 줄이고, 세계 최초로 STT-MRAM을 개발함으로써 2015년 이후 30나노급 이하 메모리 시장의 45% 이상을 점유할 것"이라며 "메모리 세계 1위 기술 경쟁력 보유에 따른 자성 박막 공정 장비등 경쟁력도 확보 가능할 것이다"고 말했다.

임채민 지경부 차관은 "이 센터가 산학연 공동연구 확대에 바람직한 모델"로 평가하고 "센터를 중심으로 미래 반도체 원천기술 확보와 국제기술 표준 주도 등을 통해 세계적인 공동연구 허브로 성장할 수 있도록 업계ㆍ학계 관계자 모두에게 각고의 노력을 해달라"고 주문했다.

이경호 기자 gungho@asiae.co.kr
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