32Gb 고속 DDR NAND

[아시아경제 우경희 기자]삼성전자가 업계 최초로 읽기 속도를 3배 이상 향상시킨 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시와 저장용량을 3배 늘린 32Gb 3비트(bit) 낸드플래시 양산에 돌입했다고 1일 밝혔다.

고속 낸드플래시는 D램의 고속 데이터 전송 방식인 DDR(Double Data Rate) 인터페이스를 낸드플래시에 적용한 비동기(Asynchronous) DDR MLC(Multi-Level Cell) 낸드플래시 제품이다. 삼성전자는 저전력 비동기 DDR 인터페이스 기술을 적용, 소비 전력량을 증가시키지 않으면서도 기존 SDR(Single Data Rate) 제품 대비 읽기 속도를 약 3배 이상 높였다.

삼성전자는 이 제품을 프리미엄급 메모리카드 뿐 아니라 고성능 SSD 제품에도 적용한다는 방침이다.

역시 최초 양산되는 32Gb 3비트 MLC 낸드플래시는 하나의 셀(Cell)에 3비트 단위의 데이터를 저장할 수 있도록 해 같은 칩 면적에서 1비트(bit) 데이터를 저장하는 SLC(Single-Level Cell)에 비해 약 3배의 대용량 데이터를 저장할 수 있다.

삼성전자는 3비트 낸드플래시 제품으로 대용량 메모리카드, 휴대폰용 메모리카드 시장에서 기존 MLC 낸드플래시 제품을 대체할 예정이다.

조수인 메모리사업부 부사장은 "올초 30나노급 32Gb 낸드플래시 제품 사업화에 이어 업계 최초로 30나노급 32Gb 제품으로 고속 낸드플래시 및 3비트 낸드플래시를 양산하게 됐다"며 "다양한 고성능 모바일 기기의 출시를 적극 지원하고 최종 소비자에게 더 많은 편의성과 효용가치를 제공할 수 있게 됐다"고 말했다.

삼성전자는 향후 20나노급의 차세대 제품군에서도 고속 낸드플래시 및 3비트 낸드플래시를 선행 개발해 고성능, 저전력, 대용량 제품을 안정적으로 공급한다는 방침이다.

우경희 기자 khwoo@asiae.co.kr
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