황철성 교수

[아시아경제 김철현 기자]국내연구진에 의해 차세대 메모리 반도체 소자 'TiO2 물질'의 동작원리가 규명됐다.

서울대학교는 재료공학부 황철성·김미영·한승우 교수팀이 최근 차세대 메모리 소자로 관심을 끌고 있는 'TiO2 물질'의 저항 변화 원인을 규명했다고 18일 밝혔다.

이번 연구 결과는 영국에서 발행되는 네이처 나노테크놀로지(Nature Nanotechnology) 온라인 판에 17일 게재됐다.

연구팀은 수십 나노미터 두께의 'TiO2'와 같은 부도체 재료에 적절한 전기 신호를 가하면 그 저항이 변화하고 이 현상을 반복적으로 제어할 수 있다고 설명했다.

연구팀에 따르면 'TiO2'에서의 저항 변화는 전기 신호에 의해 부도체 내에 수 나노미터 굵기를 갖는 도체선이 생성과 소멸을 반복하기 때문이다.

연구팀 관계자는 "이같은 현상과 재료를 반도체 메모리 소자에 응용하면 현재 메모리 칩의 한계를 극복 할 수 있을 것으로 기대된다"고 말했다.

이 관계자는 이어 "이번 결과는 고분자 재료에서의 저항 변화 현상에 대한 연구와 이를 응용한 메모리 반도체 소자 개발에 큰 도움을 줄 것으로 예상 된다"고 설명했다.

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김철현 기자 kch@asiae.co.kr
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