[아시아경제 김정민 기자] 삼성전자가 35나노급 D램을 올 하반기부터 대량 생산할 계획이라고 29일 밝혔다.

삼성전자의 조남성 전무는 이날 실적 발표 후 가진 컨퍼런스콜에서 "현재 35나노급 D램을 개발 중"이라며 "하반기에 대량 생산 체제에 돌입할 계획"이라고 발표했다.

현재 경쟁사들이 40나노급 D램을 시장에 판매하고 있는 상황이며 35나노급은 이보다 60% 정도 생산성이 높은 것으로 알려져 있다. 삼성 측은 올해 반도체 수요가 매우 강할 것으로 전망했으며 시스템 LSI 반도체 부문에도 1조원 가량 투자할 계획이라고 전했다.

한편 조용덕 상무는 LCD 부문에 대해 "3D TV 부문에서의 경쟁력을 바탕으로 올해 액티브 글라스 방식에 집중할 것"이라고 말했다.

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김정민 기자 jmkim@asiae.co.kr
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