[아시아경제 황상욱 기자] 삼성전자가 세계 최초로 4Gb(기가비트) DDR3(Double Date Rate 3) D램 양산에 들어가며 대용량 D램 시장 선점에 나선다고 24일 밝혔다.

삼성은 지난해 1월 50나노급 공정을 이용해 세계 최초로 개발한 4Gb DDR3 D램을 이 달부터 40나노급 최신 공정을 이용해 양산하기로 했다.

지난 2005년 6월 세계 최초로 1Gb DDR2 D램 양산을 시작했고, 2007년 9월 2Gb DDR2 D램 양산에 이어, 이번에 4Gb DDR3 D램을 양산하며 대용량 D램의 세계 최초 양산 기록을 이어 가게 됐다.

삼성전자는 이번에 양산에 들어가는 4Gb DDR3 D램으로 ▲서버용 32GB(기가바이트), 16GB 모듈과 ▲워크스테이션, 데스크 탑 PC용 8GB 모듈, ▲노트북 PC용 8GB 모듈 등 기존 대비 용량이 두 배인 대용량 메모리 모듈 제품을 공급한다.

4Gb DDR3 D램은 2Gb DDR3 D램보다 성능을 강화해 1.35V와 1.5V의 동작전압을 지원하고 데이터 처리 속도는 최대 1.6Gbps(Gigabit per Second)로 높였다.

삼성전자는 지난해 7월 40나노급 2Gb DDR3 D램을 양산하면서 최대 16GB 용량까지 모듈 제품을 공급해 온 데 이어, 이번 4Gb DDR3 D램 양산으로 업계 최초로 최대 32GB 용량의 모듈을 공급할 수 있게 됐다. 40나노급 2Gb와 4Gb DDR3 D램을 동시에 양산해 4GB에서 32GB까지 업계 최대의 DDR3 D램 제품군을 확보하게 됐다.

4Gb DDR3 D램 탑재 모듈은 기존 동일 용량의 모듈 제품에 비해 소비 전력이 35% 가량 절감돼 초절전 '그린 메모리' 전략을 더욱 강화하게 됐다.

전동수 반도체사업부 메모리전략마케팅팀장 부사장은 "이번에 양산하는 4Gb DDR3 D램은 대용량이면서 최저 소비전력을 구현함으로써 많은 양의 메모리를 탑재하는 서버 업체 뿐 아니라, 이제 PC에서도 소비자들이 만족할 수 있는 고성능·저전력 메모리 솔루션을 제공하게 돼 그 의의가 매우 크다."고 밝혔다.

삼성전자는 이번 4Gb DDR3 D램 양산과 함께 40나노급 DDR D램 비중을 적극적으로 확대해, 서버 및 PC 용으로 공급하는 D램 중 40나노급 제품의 비중을 상반기에 90% 이상까지 끌어올려 고객들에게 안정적인 공급 능력을 확보할 계획이다. 또 향후에도 차별화된 기술로 D램 제품의 경쟁력을 높이고 30나노급 D램 등 차세대 제품을 선행 양산해 업계 최고의 기술 리더십 및 경쟁력 우위를 유지해 나갈 계획이다.

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황상욱 기자 ooc@asiae.co.kr
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