[아시아경제 고은경 기자]주성엔지니어링은 8일 공시를 통해 일본에서 반도체 소자 제조방법에 관한 특허를 취득했다고 밝혔다.

이번 특허 주요 내용은 반도체 소자 제조방법에 있어 고유전박막으로 사용되는 탄탈륨질화산화막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 회사 측은 "이번 특허를 반도체 장비 경쟁력 강화에 사용할 예정"이라고 밝혔다.

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고은경 기자 scoopkoh@asiae.co.kr
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