[아시아경제 왕성상 기자] 메모리산업의 ‘새 희망’으로 떠오르는 PRAM(상변화 메모리) 관련 특허출원이 크게 늘고 있다. 특히 지난 4월 말 삼성전자가 세계 처음 PRAM상용화에 성공, 512Mbit PRAM를 양산한다고 밝히면서 관련특허출원에 탄력이 붙고 있다.

31일 특허청에 따르면 PRAM 관련 특허출원은 2001년 4건에 머물렀던 게 꾸준히 늘어 2008년엔 181건으로 크게 불었다.

PRAM 관련특허출원은 대부분 PRAM연구를 앞서 이끄는 삼성전자와 하이닉스에 의해 이뤄지고 있는 것으로 특허청은 분석하고 있다.

연도별 출원은 삼성전자의 경우 2002년 12건, 2003년 24건 등 2000년대 초부터 꾸준히 출원해 2006년에 85건으로 최대량을 출원했다.

하이닉스반도체는 삼성전자보다 조금 늦은 2004년에 48건을 출원하면서 그 뒤 해마다 꾸준히 출원량이 늘어 2008년엔 130건까지 이르렀다.

삼성전자가 다른 기업들보다 앞서 특허출원한 건 다른 회사보다 먼저 PRAM개발에 발을 들여놨음을 보여주는 증거다. 이런 기술선점이 ‘세계 최초 PRAM양산’이란 결실로 이어졌다.

하이닉스는 삼성전자보다는 늦게 PRAM개발에 뛰어들었지만 왕성한 특허출원 흐름으로 볼 때 곧 ‘제2의 PRAM 양산’ 소식을 전해줄 것으로 산업계는 내다보고 있다.

양산된 PRAM이 플래시메모리를 대신할 경우 소비자는 더 빠른 성능의 휴대전화, SSD, 디지털TV 등을 만나게 된다.

☞PRAM이란?
상변화물질을 전기적으로 가열, 작은 저항특성을 갖는 결정상태로 되느냐, 저항특성이 큰 비정질상태로 되느냐에 따라 정보를 저장·판독하는 방식의 메모리소자다. 또 플래시메모리와 같이 비휘발성메모리이면서 DRAM처럼 고속동작이 가능해 기존메모리를 대체할 차세대메모리다.

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왕성상 기자 wss4044@
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