[아시아경제 박성호 기자]삼성전자와 하이닉스가 올해 반도체부문 R&D(기술개발)에 총 5조원 이상을 투입할 계획이다. 이에 따라 기존 D램 미세공정의 기술적 한계가 다가올 수 있다는 가능성을 볼 때 P램이나 STT램 등과 같은 차세대 메모리 반도체 개발에서도 치열한 경쟁이 예상된다.

8일 관련업계에 따르면 삼성전자가 올해 투자할 R&D(연구개발)비용은 8조원이다. 업계 관계자들은 매출비중 등을 고려할 때 반도체부문의 R&D 비중이 최소 절반인 4조원 이상을 차지할 것으로 추정하고 있다.

하이닉스 역시 최소 작년수준인 매출액대비 9%이상을 쏟아부을 계획인데 올해 매출이 사상 최대인 9조원대로 예상되는 만큼 매출액 10%만 잡아도 약 9000억원 R&D비용을 투자하게 된다.

하이닉스 관계자는 "통상 매출액의 8∼11%를 R&D비용으로 투자해 왔다"며 "올해 전체 투자계획이 종전보다 7000억원 이상 확대된 3조5000억원으로 증액된 만큼 R&D비용도 그에 걸맞게 늘어날 것"이라고 예상했다.

두 회사의 R&D비용 확대로 인해 차세대 메모리반도체 주도권을 잡기 위한 치열한 경쟁이 예상된다.

기존 D램의 경우 5년전과 비교해 단위 수출가격이 4분의 1수준으로 떨어졌지만 미세공정기술 진보로 인해 수출물량이 같은 기간 5.73배 증가하며 반도체 업계 수익확대를 주도했다.

그러나 업계는 머리카락 굵기의 10만분의1인 나노기술이 현재 상용화된 30나노에서 추후 10나노 및 그 이하까지 떨어지기는 기술적으로 한계가 있을 수 있다는 판단과 더불어 고객과 제품의 수요 대세가 '초고속화 및 저전력'으로 흐르고 만큼 차세대 메모리개발에 주력할 방침이다.

일단 최근 삼성전자는 D램보다 처리속도가 빠르면서도 전기 없이도 데이터가 저장되는 플래시 메모리 특성을 갖춘 P램을 양산, 모 글로벌 휴대폰업체에 공급하기 시작했다. 하이닉스는 내년쯤 시장상황을 보고 이 시장에 뛰어든다는 방침이다.

모바일기기용 P램 시장규모는 오는 2013년께 5억5000만달러까지 확대될 것으로 예측되고 있다.

P램에 이어 RE램과 STT램 역시 삼성전자와 하이닉스의 주된 차세대 개발제품이다.

현재 STT램은 삼성전자와 하이닉스가 한양대측과 공동추진하고 있는데 양사간 기술유출 논란을 딛고 최근 연구를 재개한 만큼 한층 속도를 낼 전망이다.

STT램은 낸드플래시처럼 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않고 S램급 고속동작이 가능할 뿐 아니라 기존 D램의 미세공정 한계로 간주되는 30나노급 이하 초미세공정도 가능해 테라비트(Tb)급까지 집적도를 올릴 수 있다.

하이닉스 관계자는 "아직 시제품이 나온 단계는 아니지만 2012년 이후께 시장에 선보일 수 있을 것"이라고 내다봤다.

이 외에도 한국과 일본 공동연구진이 추진하고 있는 저항변화 메모리인 Re램은 현재 주력상품인 플래시메모리보다 저장용량이 훨씬 크고 전원을 꺼도 정보가 손실되지 않을 뿐 아니라 쓰기와 지우기 기능도 100배 향상된 1억번 이상 가능해 차세대 기술로 각광을 받고 있다.

[아시아경제 증권방송] - 무료로 종목 상담 받아보세요

박성호 기자 vicman1203@
<ⓒ세계를 보는 창 경제를 보는 눈, 아시아경제(www.asiae.co.kr) 무단전재 배포금지>

박성호 기자 vicman1203@
<ⓒ아시아 대표 석간 '아시아경제' (www.newsva.co.kr) 무단전재 배포금지>