[아시아경제 이윤재 기자] 삼성전자가 기존 범용 낸드플래시보다 데이터 처리 속도가 10배 빨라진 고속 낸드플래시 기술을 개발했다고 22일 밝혔다.

삼성전자는 “고사양의 모바일 기기, 메모리카드 등에 적용되는 400Mbps(Megabit per Second)의 고속 낸드플래시 기술을 개발했다”며 “내년부터 본격 양산에 들어갈 것”이라고 전했다.

삼성전자는 지난해 ‘Toggle DDR 1.0’ 방식의 30나노급 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시를 세계 최초로 양산하기 시작한데 이어 이번에 개발한 기술을 내년부터 적용시켜 양산할 예정이다. 또 앞으로 20나노급 이하 낸드플래시 전 제품에 ‘Toggle DDR 2.0’ 기술을 적용할 예정이라고 밝혔다.

이어 이번에 개발한 차세대 고속 낸드플래시의 인터페이스 규격인 ‘토글 DDR 2.0(Toggle DDR 2.0)’을 시장표준으로 만들기 위해 세계반도체표준협의기구(JEDEC·Joint Electron Device Engineering Council)에 표준 등록을 추진중이다.

삼성전자는 지난 6월 JEDEC에 차세대 고속 낸드플래시 표준으로 'Toggle DDR 2.0'을 제안했고 내년 초까지 등록을 완료한다는 방침이다. 일본의 도시바도 'Toggle DDR 2.0'의 표준화 작업 참여를 결정한 바 있다.

전동수 삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 부사장은 “삼성전자는 지난해 11월 30나노급 고속 낸드플래시를 최초로 양산하는 등 고성능 낸드플래시 시장 성장을 주도해왔다”며 “앞으로 고속 낸드플래시는 4세대 스마트폰, 태블릿 PC, SSD 등 여러 제품에 탑재되는 등 수요가 크게 증가해 낸드플래시 시장을 성장을 이끌 것”이라고 말했다.

이윤재 기자 gal-run@
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