[아시아경제 김진우 기자]삼성전자는 이달부터 대용량 스토리지용 20나노급 64기가비트(Gb) 3비트(bit) 낸드플래시를 양산하기 시작했다고 13일 밝혔다.

삼성전자는 지난해 11월 세계 최초로 30나노급 32Gb 3bit 낸드플래시를 양산한 데 이어, 이번에 용량이 두 배로 커진 20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시를 세계 최초로 양산하게 됐다.

20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시는 30나노급 32Gb 3bit 제품에 비해 생산성이 60% 이상 높고, 'Toggle DDR(Double Data Rate) 1.0' 방식을 적용해 빠르고 안정적인 성능을 구현했다.

하나의 칩으로 8GB(기가바이트)의 데이터를 저장할 수 있는 메모리 용량을 구현할 수 있어, 기존 32Gb 3bit 낸드플래시 시장을 빠르게 대체하며 대용량 메모리 시장 확대에 기여할 것으로 예상된다.

김세진 반도체사업부 메모리전략마케팅팀 상무는 "20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시 양산으로 대용량 메모리 수요가 급증하고 있는 스마트폰, 태블릿PC, SSD(Solid-State Drive)에 이어, USB 플래시 드라이브(Flash Drive), SD카드와 같은 대용량 메모리 제품 시장을 확대해 나갈 수 있는 솔루션이 강화됐다"고 말했다.

삼성전자는 향후 낸드플래시 제품에 'Toggle DDR'을 적용해 대용량·고성능 메모리를 원하는 고객의 다양한 요구에 부응하고 시장 성장을 주도해 나갈 계획이다.

김진우 기자 bongo79@
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