[아시아경제 김진우 기자]D램 메모리반도체 주력제품이 1Gb(기가비트)에서 2Gb로 빠르게 이동하고 있다. 삼성전자와 하이닉스반도체 등 선두주자들이 2Gb D램 생산 비중을 50% 이상으로 늘리고 있는 가운데, 현물시장에서 2Gb 가격이 1Gb 두 개보다 저렴한 '비트크로스(Bit Cross)' 현상이 발생한 데 따른 변화다.

28일 반도체 업계에 따르면, 올 연말 비트(Bit) 기준으로 삼성전자와 하이닉스에서 생산하는 D램의 50% 이상을 2Gb 제품이 차지한 것으로 나타났다. 삼성전자는 현재 40나노급 공정에서 2Gb DDR3 D램 제품을 주로 양산하고 있으며, 일부 물량은 지난 7월부터 30나노급 공정에도 적용한 것으로 전해졌다. 삼성전자 관계자는 "2Gb D램 비중이 전체의 50%를 넘어섰다"면서 "대부분 40나노급 공정에서 양산하고 있으며, 일부 물량은 30나노급 공정에서도 생산하고 있다"고 말했다.

하이닉스는 40나노급 공정을 적용한 2Gb 제품을 양산하고 있는 가운데 내년 초 30나노급 공정에서도 2Gb 제품을 양산할 계획이다. 하이닉스 관계자는 "연말 비트 기준으로 2Gb D램의 비중이 50%를 상회했다"며 "내년 초 30나노급 공정에서도 2Gb 제품을 양산할 예정"이라고 말했다. 반면 후발업체인 일본의 엘피다와 미국의 마이크론, 파워칩 등 대만업체들은 아직까지 주력 라인이 50~60나노급 공정을 기반으로 하고 있고, 최근에야 2Gb 제품 생산에 들어간 것으로 알려져 국내 업체와의 간격은 더 커질 것으로 전망된다.

D램 현물시장에서는 최근 '비트크로스' 현상도 발생, 2Gb로 주력제품이 빠르게 이동하고 있는 것으로 나타났다. 반도체 가격정보업체인 D램익스체인지에 따르면 지난 27일 2Gb DDR3 D램 현물가격은 1.88달러로 1Gb DDR3 D램 현물가인 0.96달러의 두 배(1.92달러)보다 싼 것으로 집계됐다. 비트크로스가 나타나면 단가가 낮은 대용량 제품으로 주력제품 비중이 빠르게 이동한다는 게 정설이다.

업계 관계자는 "엘피다와 마이크론 등은 최근에야 40나노급 D램을 일부 생산하고 있는 등 국내 업체와의 미세공정 기술 차이가 현격하다"면서 "2Gb D램 제품을 만들려면 최소 40나노급 공정을 적용해야 고객사에서 원하는 스펙을 맞출 수 있어 내년 국내업체와의 간격은 커질 수밖에 없다"고 전망했다.

김진우 기자 bongo79@
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