[아시아경제 박성호 기자]하이닉스가 반도체 시황 악화에도 불구하고 올해 시설 투자에 작년과 비슷한 3조4000억원을 투자하기로 결정했다.

하이닉스는 6일 D램과 낸드플래시 차세대 미세공정 전환에 박차를 가하고, R&D 투자와 시설보수 등에 투자해 기술 경쟁력을 높이기 위해 이같은 결정을 내렸다고 밝혔다.

하이닉스 관계자는 "작년과 마찬가지로 시장상황에 따라 투자규모를 확대할 수도 있으며 낸드플래시 경쟁력을 갖추는데도 집중할 것"이라고 말했다.

작년에 하이닉스는 당초 2조3000억원을 투자키로 발표했지만 반도체 호황과 삼성전자의 공격적 투자를 감안해 1조원 이상 투자금액을 확대한 바 있다.

업계에서는 올해 하이닉스가 D램에 대략 2조원 이상, 낸드플래시에 1조원을 투자할 것으로 전망하고 있다.

하이닉스는 반도체 시설투자 등을 위해 지난 2008년 2조4500억원, 2009년 1조원, 2010년 3조3800억원을 각각 투자했었다.

업계 관계자는 "올해 반도체 시황이 2분기 이후 상승세를 탈 것으로 전망된다"며 "특히 스마트폰과 태블릿 등 스마트 기기 시장 확대로 낸드플래시 시장 역시 갈수록 호전될 것"이라고 내다봤다.

박성호 기자 vicman1203@
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