[아시아경제 박지성 기자] 삼성전자가 20나노급 64기가비트(Gb) 낸드 플래시 기반의 64기가바이트(GB) 고성능 내장메모리(eMMC)를 개발했다고 29일 밝혔다.

64GB eMMC는 현재까지 상용화된 메모리카드 중 가장 빠른 내장 메모리카드로 두께는 1.4mm, 무게는 0.6g에 불과하지만 1만6000곡의 MP3 파일에 해당하는 대용량 데이터 저장이 가능하다.

삼성전자가 이번에 개발한 20나노급 64GB eMMC 제품은 최고 성능의 프리미엄 모바일 기기에 적합한 초고속 솔루션이다. 랜덤 쓰기속도에서 현재까지의 제품 중 가장 빠른 속도인 400 IOPS(Input/Output per Second)를 구현해 기존 30나노급 64GB eMMC 제품의 100 IOPS 대비 속도가 4배 빨라졌다.

또한 연속 읽기속도·쓰기속도에서도 기존 고성능 외장메모리 카드(24MB/s, 12MB/s) 대비 3배 이상 빠른 80MB/s, 40MB/s를 구현했다.

삼성전자는 금년 중에 생산성을 약 60% 높인 고성능 20나노급 64GB eMMC를 양산해 프리미엄 제품군을 더욱 강화하겠다는 전략이다.

김명호 DS사업총괄 메모리사업부 전략마케팅팀 상무는 "금년 중에 업계 최고 성능의 20나노급 64GB eMMC를 양산해 프리미엄급 내장 메모리 카드 시장을 더욱 확대할 것"이라고 말했다.

삼성전자는 내년에 JEDEC eMMC 4.5 표준을 적용해 20나노급 4GB eMMC 제품 대비 성능을 두 배로 높인 차세대 프리미엄급 대용량 내장메모리 카드를 양산해 내장 메모리 카드 시장을 더욱 확대한다는 계획이다.

박지성 기자 jiseong@
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