[아시아경제 박성호 기자]세계 메모리반도체 시장의 1, 2위를 점유하고 있는 삼성전자와 하이닉스가 차세대 반도체 개발에 박차를 가하고 있다.

하이닉스는 현재 낸드플래시보다 쓰기 속도가 100배 빠른 Re램을 이르면2013년에 선보일 계획이다. 또 삼성전자는 마이크론 테크놀로지와 손잡고 DDR3 메모리보다 전력효율이 7배나 높은 '하이브리드 메모리 큐브(HMC)의 시제품을 내년에 출시하기로 했다. 두 회사의 이 같은 움직임은 현재 반도체 시장이 스마트폰 등에 쓰이는 낸드플래시 등 고부가가치와 초저전력 그린 제품군으로 빠르게 트렌드가 바뀌고 있기 때문이다.

10일 반도체업계에 따르면 하이닉스는 현재 미국 휴렛팩커드(HP)와 공동으로 개발하고 있는 Re램 개발에 가속도를 내 2013년 여름께 제품을 출시한다는 계획을 세우고 있다. 하이닉스 관계자는 "시장상황에 따라 유동적이지만 R&D 수준을 보면 약 2년 후 Re램 출시가 충분히 가능하다"고 말했다.

Re램은 HP의 멤리스터 기술을 이용해 하이닉스가 연구개발을 진행 중인 차세대 반도체다.

낸드플래시보다 쓰기 속도가 100 이상 빠르고 칩 내 데이터 저장 공간인 셀 내부 전하의 존재에 따라 꺼짐과 켜짐 상태가 결정되는 현재 메모리 제품과 달리 저항의 크기에 따라 이를 조절하는 단순구조다. 이에 따라 공정미세화에 따른 한계를 해결할 제품으로 시장의 주목을 받고 있다. 특히 전력 소요도 적어 속도와 용량, 전력소모면에서 모바일기기에 최적의 조건을 갖추고 향후 D램과 하드디스크 드라이브도 대체할 수 있다는 평가를 받고 있다.

HP 고위관계자도 최근 한 포럼에서 "자세한 제품 사양을 공개할 수는 없지만 이미 수 백장의 웨이퍼를 하이닉스 연구실에서 가동 중"이라며 "18개월 후면 낸드플래시 시장을 Re램이 대체해 나가기 시작할 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 마이크론과 '하이브리드 메모리 큐브(HMC)' 개발을 위한 컨소시엄을 맺었다. 이 컨소시엄은 새로운 메모리 유형에 관한 개방형 규격을 개발하기 위해 구성됐다.

HMC는 지난 몇 년간 고성능 PC에 사용돼 온 DDR3 제품을 대체할 제품으로 전력효율이 DDR3 보다 7배나 높고 모듈 성능이 15배 이상에 달해 네트워크 성능 속도를 높여주고 고성능 PC에서 중앙처리장치(CPU)의 성능을 최대로 가동할 수 있게 해준다. 이 컨소시엄은 초기 시제품을 내년에, 그리고 2015년에는 대량 생산체제를 갖출 것 방침이다.

두 회사의 이 같은 전략은 차세대 메모리 시장 선점을 통해 반도체 주도권을 강화하기 위한 것이다.

삼성전자 관계자는 "PC용 D램 가격이 추락했지만 삼성전자의 반도체부문 실적이 다른 기업에 비해 양호한 것은 고부가가치 제품군 확대에 큰 배경을 두고 있다"며 "필요에 따라서는 해외기업들과 손잡고 다양한 차세대 반도체 개발에 나서고 있다"고 설명했다.

박성호 기자 vicman1203@
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