[아시아경제 이윤재 기자] 삼성전자가 중국 내 차세대 낸드 플래시 생산 라인 건설을 위해 중국 섬서(陝西)성 시안(西安)시와 양해각서(MOU) 체결을 위한 실무 협상을 시작한다고 21일 밝혔다.

삼성전자는 지난해 12월 반도체 중국 진출을 지식경제부에 신청해 올 1월에 승인을 받은 바 있다. 삼성의 해외 반도체 공장 건설은 1996년 미국 오스틴 이후 두번째다.

삼성전자는 시안시와 실무 협상을 마무리하고, 중국 정부가 승인 절차를 완료한다면 올해 안에 생산 라인을 착공할 수 있을 것이라고 내다봤다. 이어 내년 말부터 반도체 생산 라인 가동을 시작할 수 있을 것으로 예상했다.

시안시는 반도체 생산에 필요한 산업용수와 전기 등 산업 인프라가 잘 갖춰져 있어 글로벌 IT 기업들이 생산 거정으로 진출하고 있는 지역이다.

삼성전자는 스마트폰, 태블릿에 이어 초경량 슬림 노트북 시장에서 수요가 대폭 확대됨에 따라 올해 고성능 대용량 10나노급 낸드플래시를 양산해 프리미엄 메모리 시장을 주도하고, 내년부터는 중국에서도 10나노급 낸드 플래시 양산을 개시해 중국 시장을 선점해 나간다는 방침이다.

이윤재 기자 gal-run@
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