박영수 삼성전자 종합기술원 연구위원

[아시아경제 이창환 기자] 삼성은 세계 최고의 기술력을 보유하고 삼성의 기술력을 대표할 수 있는 핵심 기술인력에게 부여하는 '2012 삼성 펠로우(Samsung Fellow)'에 박영수 삼성전자 종합기술원 연구위원 (48세, 상무급)을 임명했다고 5일 밝혔다.

반도체 박막성장 기술 분야의 세계 최고 전문가인 박영수 연구위원은 카이스트(KAIST) 재료공학과에서 석사와 박사학위를 취득했으며 삼성에서 차세대 반도체 박막성장 기술 개발을 선도해 왔다.

박 연구위원은 산화물 반도체 기술 확보, 산화물 메모리 소자 개발, GaN(질화갈륨) 박막 연구 등 신사업용 핵심기술 개발을 주도했다. 특히 생산 단가를 획기적으로 낮출 수 있는 GaN(질화갈륨) 박막 기술 개발을 통해 세계 최초·최고 수준의 성능을 구현해 삼성의 신기술 경쟁력 확보에 크게 기여했다.

박 연구위원은 삼성의 차세대 반도체, 차세대 디스플레이 등 관련 사업이 세계적 수준으로 성장하는데 핵심적인 역할을 할 것으로 기대된다고 회사 측은 밝혔다.

한편 삼성 펠로우제는 기술중시와 인재중시의 경영철학을 실현한다는 차원에서 지난 2002년 도입해 올해로 11회째를 맞고 있다. 해당 분야에서 세계 최고 권위자로 인정받고 기술전문성을 기반으로 신수종과 주력사업에서 핵심기술 개발과 경영 성과에 실질적으로 공헌한 기술인력을 대상으로 시행하고 있다.

삼성 펠로우의 역할은 신수종 사업분야의 씨앗(Seed) 기술 개발, 기존 전략사업의 경쟁력 강화를 위한 혁신적 기술개발과 핵심기술 확보, 해당분야의 국제적 학·협회 선도와 기술표준화 활동 주도, 후배에 대한 기술지도와 보유기술 전수를 통한 기술역량 향상, 미래기술 준비 등이다.

삼성은 펠로우들이 세계적 수준의 전문가로서 기술리더십을 충분히 발휘하도록 연구 수행을 위한 최대한의 예산과 인력을 지원하고 해당분야 대외활동도 적극 후원하고 있다.

삼성은 현재까지 반도체, 디스플레이, 나노재료, 영상처리, 조선해양, 에너지 등 총 18명의 삼성 펠로우를 선발했다. 펠로우들은 각 전문분야에 포진돼 삼성의 기술력을 대표하고 창조적 기술혁신을 주도하는 핵심 역할을 수행하고 있다.

*GaN 박막 기술= GaN(질화갈륨)는 우수한 전자 이동성과 우수한 열전도 등의 특성으로 차세대 화합물 반도체 디바이스 물질로 각광받고 있다. GaN 디바이스 구현을 위해서는 기판 위에 GaN을 박막형태로 성장시켜야 하는데 이종의 기판 위에 고품질의 GaN 박막 성장은 고난이도의 기술이다.

이창환 기자 goldfish@
<ⓒ세계를 보는 창 경제를 보는 눈, 아시아경제(www.asiae.co.kr) 무단전재 배포금지>