▲삼성전자가 이달부터 양산에 들어간 10나노급 128Gb 3bit MLC 낸드플래시

[아시아경제 박민규 기자] 삼성전자가 이번달부터 고성능 10나노급(1나노: 10억분의 1m) 128Gb(기가비트) 낸드플래시 메모리 양산에 들어갔다.

지난해 11월에 10나노급 64Gb MLC 낸드플래시를 양산한 데 이어 5개월 만에 두배 용량의 제품을 양산하는 것이다.

삼성전자는 128Gb 3bit MLC(멀티레벨셀) 낸드플래시 양산을 통해 대용량 내장 저장소(스토리지)와 SSD(솔리드스테이트드라이브) 시장을 확대해 기존 64Gb MLC 낸드플래시 시장을 대체해 나갈 예정이다.

이에 따라 삼성전자는 대용량 eMMC(내장형 멀티미디어카드)·SSD 등 업계 최대용량의 메모리 스토리지 진용을 강화하게 됐다.

이번에 양산에 들어간 128Gb 낸드플래시는 10나노급 3bit MLC 설계를 기반으로 토글 DDR 2.0의 고속 접속 방식을 적용했다. 특히 10나노급 128Gb 3bit MLC는
20나노급 64Gb MLC보다 2배 이상 생산성이 높다.

삼성전자는 2010년 양산 개시한 20나노급 64Gb 3bit MLC 낸드 플래시 제품을 지난해 9월에 출시된 SSD 840시리즈에 탑재해 250GB(기가바이트) 이상 대용량 SSD 시장을 키웠다.

대용량 메모리 스토리지 시장에서도 20나노급 64Gb MLC 낸드플래시는 64Gb 3bit MLC 낸드플래시로 빠르게 전환돼 왔다.

올해는 128Gb 3bit MLC 낸드플래시가 128GB 메모리카드 시장과 500GB 이상 대용량 SSD 시장을 더욱 확대시켜 SSD 대중화를 앞당길 것으로 전망된다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 부사장은 "이번에 고성능 128Gb 낸드플래시를 본격 양산함으로써 대용량 스토리지 시장에서 제품 경쟁력을 더욱 강화하게 됐다"며 "앞으로도 차세대 메모리 제품을 적기에 출시해 고객 요구에 적극 대응해 나갈 것"이라고 말했다.


박민규 기자 yushin@
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