[아시아경제 박민규 기자] 삼성전자가 업계 최초로 45나노 내장형(임베디드) 플래시 로직 공정과 이를 적용한 스마트카드 집적회로(IC) 테스트 칩 개발에 성공했다.

임베디드 플래시 로직 공정은 데이터를 제어하고 처리하는 시스템반도체 회로 안에 데이터를 기억하는 플래시메모리 회로를 구현한 것이다. 집적도와 전력 효율을 높일 수 있어 가전·모바일·자동차 등 다양한 제품에 적용할 수 있다.

이번에 개발에 성공한 45나노 스마트카드 IC 테스트 칩은 기존 80나노 공정 제품보다 생산성이 높고 소모 전력은 25% 적다. 내부 플래시메모리에서 데이터를 읽어 오는 시간도 절반으로 줄였다.

특히 플래시메모리 한 셀(단위)당 최소 100만번 데이터 갱신이 가능해 업계 최고 수준의 신뢰성을 확보했다. 상용화를 위한 내부 시험도 마쳤다.

삼성전자는 설계·공정의 최적화 작업과 신뢰성 있는 기관의 보안성 검증을 거쳐 내년 하반기에 45나노 임베디드 플래시 공정을 적용한 스마트카드IC를 양산할 예정이다.

삼성전자는 이번에 개발한 45나노 임베디드 플래시 공정 기술을 활용해 소비자 가전과 차량용 마이크로컨트롤러유닛(MCU) 제품 분야의 파운드리(수탁 제조 반도체)·주문형 반도체(ASIC) 고객에게도 경쟁력 있는 해법(설루션)을 제공할 계획이다.

김태훈 삼성전자 시스템LSI사업부 상무는 "이번 45나노 임베디드 플래시 로직 공정은 스마트카드·근거리무선통신(NFC) 등 다양한 보안 설루션과 모바일 제품에 적용이 기대된다"며 "다양한 제품군에서 첨단 공정을 우선 적용해 종합 모바일 솔루션 공급자로서의 입지를 강화할 것"이라고 말했다.




박민규 기자 yushin@
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