[아시아경제 김재연 기자]SK하이닉스는 미국 반도체 업체 AMD와 손잡고 업계 최초로 실리콘관통전극(TSV)기술을 적용한 3D 초고속 메모리(HBM)제품을 개발하는데 성공했다고 26일 밝혔다.

HBM은 국제 반도체공학 표준 협의기구(JEDEC)에서 표준화를 진행 중인 고성능 ·저전력·고용량 D램 제품이다. 이 제품은 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다.

특히 현재 업계 최고속 제품인 GDDR5대비 속도는 4배 이상 빠르며 전력소비는 40% 가량 낮다. HBM은 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 전망이다.

SK하이닉스는 이번 HBM 제품에 TSV 기술을 적용, 20나노급 D램을 4단 적층했으며, 기술적 검증을 위해 AMD와 공동 개발을 진행했다고 밝혔다.

SK하이닉스는 내년 상반기 중 HBM 샘플을 고객들에게 전달할 계획이며 시스템 인 패키지(SiP) 형태로 공급할 예정이라고 밝혔다. SK하이닉스는 이번에 개발을 완료한 HBM을 내년 하반기부터 본격 양산할 계획이다.

홍성주 SK하이닉스 DRAM개발본부장 전무는 "TSV 기술을 활용한 HBM 제품의 내년 상용화를 시작으로 제품 포트폴리오를 더욱 강화해 메모리 시장에서 주도권을 지속 확보하겠다"고 밝혔다.



김재연 기자 ukebida@asiae.co.kr
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