[아시아경제 백우진 기자]지난해 미국 마이크론테크놀로지에 인수된 엘피다가 D램반도체에서 삼성전자를 추격하기 위해 800억엔(약 8200억원)을 투자해 최신 제조설비를 갖추기로 했다고 니혼게이자이신문이 22일 보도했다.

엘피다는 이번 투자를 히로시마(廣島) 공장에 집중해 올해 하반기 안으로 D램 반도체칩 회로선폭을 20나노미터(nm) 수준으로 낮춘다는 목표를 세웠다고 니혼게이자이는 전했다.

현재 대량생산에 성공한 D램 회로선폭은 25nm 수준이고 삼성전자는 20nm 후반이다.

공정기술을 향상시켜 회로선폭을 이만큼 좁히면 웨이퍼 당 반도체칩 생산량을 20% 늘릴 수 있다. 엘피다는 또 스마트폰용 D램 신제품의 전력 소모량을 10% 줄여 배터리 사용 시간을 늘리고자 하는 스마트폰 제조업체에 도움을 줄 것으로 예상된다고 니혼게이자이는 설명했다.

엘피다 2012년 파산보호 절차에 들어갔다가 지난해 7월 미국 마이크론에 100% 인수됐다. 마이크론과 엘피다를 합해도 세계 D램시장 점유율이 지난해 28%로 삼성전자의 37%에 뒤처져 있다.

마이크론은 8월 종료되는 이번 회계연도에 31억달러를 투자해 이 중 절반을 엘피다의 일본과 대만 공장에 투자하기로 했다. 마이크론은 공정기술에서 앞선 히로시마 공장은 첨단 제품 공급기지로 차별화할 계획이다.

스마트폰과 태블릿PC가 세계 D램 시장을 이끌면서 지난해 D램 값이 2배로 뛰었다. 아시아시장에서 스마트폰 수요가 증가함에 따라 D램 수급은 올해도 빠듯할 것으로 예상된다.

일본은 스마트폰 제조업에서 밀려 소니가 홀로 남게 됐고, 이에 따라 메모리 반도체시장에서 한국에 비해 성과를 거두지 못했다.




백우진 기자 cobalt100@asiae.co.kr
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