[아시아경제 명진규 기자]삼성전자가 세계 최초로 20나노 4기가비트 D램 양산에 나서며 미세공정 기술의 한계를 다시 한번 넘어섰다. 당초 반도체 업계는 삼성전자가 미세공정의 한계로 인해 21나노 D램을 내 놓을 것으로 예상했지만 이를 20나노까지 줄여낸 것이다.

11일 삼성전자는 세계 최초로 차세대 '20나노 4기가비트(Gb) DDR3 D램'을 이달부터 본격 양산하기 시작했다고 밝혔다.

20나노 D램은 지난 2012년 삼성전자가 세계 최초로 양산한 25나노 D램보다 30% 이상, 경쟁사들이 양산하고 있는 30나노급 D램 보다는 2배 이상 생산성이 높다. 더 미세하게 반도체를 만들 수 있기 때문에 웨이퍼 하나에서 생산할 수 있는 반도체 수가 늘어나는 것이다.

삼성전자는 독자기술을 통해 기존 설비만으로도 20나노 D램 미세화 기술의 한계를 돌파했다. 이를 위해 '개량형 이중 포토 노광 기술', '초미세 유전막 형성 기술'을 동시에 개발해 적용했다.

특히 낸드플래시가 아니라 D램에서 거둔 기술적 성과라 더욱 값지다. 낸드플래시는 셀(정보저장의 최소단위)이 트랜지스터 하나로 구성돼 구조가 비교적 단순하지만 D램은 셀이 트랜지스터와 캐패시터 적층구조로 구성되기 때문에 미세화가 어렵다.

삼성전자가 개발한 '개량형 이중 포토 노광 기술'은 기존 포토장비를 그대로 사용하면서 20나노 D램은 물론 향후 10나노급 D램 양산도 가능한 것이 특징이다. 이 과정에서 셀 캐패시터의 유전막을 형성하는 물질을 기존 나노단위에서 더 미세화된 옹스트롬(10분의 1나노) 단위로 만드는 성과도 있었다.

20나노 DDR3 D램 모듈은 PC에서 기존 25나노 대비 소비전력을 25% 절감할 수 있어 글로벌 IT 업체들에게 최고 수준의 '초절전 그린 IT 솔루션'을 제공한다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 "저전력 20나노 D램은 PC 시장에서 모바일 시장까지 빠르게 비중을 확대하며 시장의 주력 제품이 될 것"이라며 "향후 차세대 대용량 D램과 그린메모리 솔루션을 출시해 메모리 시장을 지속적으로 주도할 것"이라고 말했다.



명진규 기자 aeon@asiae.co.kr
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