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[아시아경제 권해영 기자] 삼성전자가 3차원(3D) V낸드플래시에 이어 3D D램의 세계 최초 양산에 성공하면서 '3차원 메모리 반도체 시대'를 주도한다. 특히 이번에 양산을 시작한 3D D램은 기존 D램보다 동작 속도는 2배 향상한 반면 소비전력은 2분의1 수준으로 절감한 게 특징이다.

삼성전자는 세계 최초로 3D 실리콘관통전극(TSV) 적층 기술을 적용한 64기가바이트(GB) 차세대 DDR4 서버용 D램 모듈 양산을 시작했다고 27일 밝혔다. 지난해 세계 최초로 3D V낸드플래시를 양산에 이어 이번에도 업계 최초로 DDR4 D램에 TSV 기술을 적용한 제품을 양산하면서 3D 메모리 반도체 시대를 주도하게 된 것이다.

이번 64GB DDR4 D램 모듈은 20나노급 4기가비트(Gb) D램 칩 144개로 구성된 대용량 제품으로 4Gb D램을 4단으로 쌓아 만든 4단 칩 36개를 탑재했다. 칩을 금선으로 연결하는 기존 방식 대신 칩에 미세한 구멍을 뚫어 칩 상하단을 전극으로 연결하는 3D TSV 기술을 적용해 동작 속도는 개선하고 소비전력은 절감했다.

이는 지난 2010년 세계 최초로 TSV 기반 D램 모듈을 개발한 후의 성과다. 삼성전자는 이번 64GB 대용량 서버용 DDR4 모듈과 올해 하반기 출시되는 글로벌 정보기술(IT) 업체들의 차세대 서버용 중앙처리장치(CPU)를 연계해 DDR4 신규시장을 적극 공략해 나갈 예정이다.

특히 TSV 기술을 적용해 지금까지는 D램에서 속도 지연 문제로 최대 4단까지 밖에 쌓지 못했던 기술 한계를 극복, 향후 더 많은 칩을 쌓을 수 있어 64GB 이상 대용량 제품을 양산할 수 있는 기반을 마련했다.

백지호 삼성전자 메모리사업부 메모리마케팅팀 상무는 "이번 TSV 기반 D램 모듈 양산으로 하반기 차세대 CPU 출시에 맞춘 초절전 솔루션 제공과 프리미엄 DDR4 D램 시장 선점이 가능해졌다"며 "향후 3D 메모리 반도체 기술을 기반으로 차세대 라인업을 한 발 앞서 출시해 제품 경쟁력을 강화하고, 글로벌 메모리 시장의 지속 성장을 위해 주도적인 역할을 할 것"이라고 말했다.

삼성전자는 하반기 서버 D램 시장이 DDR3 D램에서 DDR4 D램으로 전환되는 추세에 맞춰 3D TSV 기술을 적용한 64GB 이상의 고용량 DDR4 모듈도 출시할 예정이다.



권해영 기자 roguehy@asiae.co.kr
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