삼성전자 20나노 8기가 DDR4 서버 D램

[아시아경제 김은별 기자] DDR4 시대에 맞춰 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 세계 최초 DDR4 메모리를 내 놓으며 기술 경쟁을 펼치고 있다. 삼성전자는 미세 공정, SK하이닉스는 독자적으로 개발한 NVDIMM(비휘발성 메모리 모듈)을 앞세우며 시장 선도에 나섰다.

21일 삼성전자는 세계 최초로 20나노 8기가비트(Gb) DDR4 서버 D램 양산에 성공했다고 밝혔다.

20나노 8기가비트 DDR4 서버 D램은 올해 하반기 DDR4 전용 서버 중앙처리장치(CPU) 출시에 맞춰 양산을 시작한 차세대 제품이다. 프리미엄 서버 시장에서 기존 DDR3에서 DDR4로의 전환을 주도할 것으로 보인다.

20나노 8기가비트 D램 기반의 DDR4 서버용 모듈 제품은 기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30% 빠른 2400Mbps의 고성능을 구현하는 반면 동작 전압은 1.2볼트(V)로 DDR3의 1.5볼트보다 낮게 동작할 수 있어 소비 전력이 더 낮다.

또한, 기존 4기가비트 제품 기반으로는 최대 64기가바이트 용량의 모듈만 가능하지만, 이번 8기가비트 D램과 지난 8월 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 TSV(실리콘관통전극) 기술을 접목함으로써 최대 128기가 바이트의 모듈을 공급할 수 있게 됐다.

삼성전자는 향후 PC용은 생산 효율이 높은 4기가비트, 모바일용은 패키지 크기를 줄이면서 칩의 적층 수를 줄일 수 있는 6기가비트, 서버용은 고용량의 8기가비트 D램 등 응용처에 따라 최적화된 다양한 용량의 제품을 통해 차별화함으로써 D램 시장을 이끌어 갈 계획이다.

SK하이닉스는 자사만의 기술인 NVDIMM을 바탕으로 DDR4 시장 선도에 나서고 있다.

NVDIMM은 비정상적인 전원 손실 상황에서 D램 데이터를 낸드플래시로 안전하게 백업하고, 전원이 정상화됐을 때 D램으로 복구하는 기능을 가진 메모리 모듈이다. 전원 공급이 중단돼도 데이터 백업이 가능해 안정성을 중요하는 고객사들이 선호한다.

하이닉스는 이날 20나노급 4Gb(기가비트) DDR4를 기반으로 NVDIMM 기준 최대용량인 16GB(기가바이트) 제품을 세계 최초로 개발했다고 밝혔다. NVDIMM 기술이 접목된 4기가비트 DDR4 중 최대 용량이다.

이 제품은 기존 DDR4 모듈과 같은 성능을 구현하면서도 한 모듈에 D램과 D램 두 배 용량의 낸드플래시ㆍ모듈 컨트롤러를 결합했다. 이에 따라 예상치 못한 전원 손실이 발생하는 경우에도 D램의 데이터를 비휘발성 반도체인 낸드플래시로 전송함으로써, 데이터를 안전하게 저장ㆍ복구할 수 있다. 동작전압 1.2V에서 2133Mbps의 속도를 구현했으며, 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다.

SK하이닉스는 "최근 주요 고객에게 샘플을 제공했으며, 서버 및 운영체제 개발 업체들로부터 해당 제품에 대한 관심이 증가하고 있다"며 "내년 상반기부터 이 제품을 본격 양산할 것"이라고 전했다.



김은별 기자 silverstar@asiae.co.kr
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