[아시아경제 김은별 기자] SK하이닉스는 5일 일본 도시바와 나노 임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography, 이하 NIL) 기술에 대한 공동 개발 본 계약을 체결했다고 밝혔다. 양사는 지난해 이와 관련 업무협약(MOU)을 체결한 바 있다. 이번 본 계약 체결로 실제 개발에 착수하게 된다.

NIL 기술에 대한 공동 개발은 올해 4월부터 양사 엔지니어들의 협업으로 요코하마에 위치한 도시바 팹(Fab)에서 진행된다. 실제 제품에 적용되는 시기는 2017년께로 예상된다.

NIL 기술은 메모리 공정이 더욱 미세화되고 있는 가운데 미세 패턴을 구현하는데 있어 적합한 차세대 리소그래피 공정기술로 평가 받고 있다. 막대한 투자가 선행돼야 하는 기존 공정기술과 비교해 경제적인 양산이 가능하다는 장점도 갖고 있다. 업계는 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 EUV(Extreme Ultraviolet) 활용 등 다양한 노력을 해오고 있었으며, NIL 기술도 한계 극복을 위한 방안 중 하나로 개발돼 왔다.

이번 협력을 통해 양사는 공정 미세화의 한계에 대응하기 위한 새로운 기술을 확보할 수 있게 돼 양사가 메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

한편 SK하이닉스는 도시바와 오랜 협력 관계를 유지해왔다. 2007년에는 특허 상호 라이선스 계약을 체결한 바 있으며, 2011년부터는 차세대 메모리인 'STT-M램'의 공동개발을 진행해 오고 있다.



김은별 기자 silverstar@asiae.co.kr
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