[아시아경제 김은별 기자, 손선희 기자] 삼성전자가 2013년, 2014년에 이어 올해 3세대 V3 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 내놓는다. 플랫(평면) 낸드플래시도 올해 안으로 1z(10나노 초반) 기술을 개발하는 등 '투 트랙(Two track) 전략'을 이어갈 방침이다.

이동기 삼성전자 메모리사업부 스토리지 솔루션 담당(상무)은 3일 서울 장충동 신라호텔에서 열린 '2015 인베스터스 포럼'에서 "V낸드와 함께 플랫 낸드의 공정미세화도 함께 진행할 계획"이라며 이같은 계획을 밝혔다.

삼성전자는 2013년 'EVO'라는 이름의 SSD를 처음으로 개발한 뒤, 지난해에는 3D V낸드 기술을 최초로 적용한 2세대 SSD '850 EVO'를 출시하며 시장을 이끌었다. 올해에는 비용은 더 싸고, 기존보다 사이즈도 작은 SSD로 경쟁력을 확보하겠다는 계획이다.

이 상무는 "올해 3세대 SSD는 곧 출시되며 신기술을 즐길 수 있다"며 "HDD와 같은 가격에 더 많은 혜택을 제공하는 SSD를 출시, 하이엔드급에서 점차 중저가급 SSD로 내려가도록 할 것"이라고 전했다.

이어 "NVMe(Non-Volatile Memery express) 기술을 적용한 SSD도 인텔과 함께 올해 안으로 출시할 것"이라며 초당 4기가바이트를 생산할 수 있도록 하겠다"고 밝혔다. 기존 SSD보다 85% 작게 만들어 제조사들이 배터리 사이즈를 10% 이상 줄일 수 있는 SSD도 내놓을 예정이다.

데이터가 폭발적으로 증가하면서 수요가 급증하고 있는 서버용 SSD 역시 더 얇고 작게 만들어낼 것으로 보인다. 이 상무는 "더 얇고 작은 차세대 하이퍼스케일 데이터구조를 만들어냈다"며 "NVMe 기술을 채택한 것"이라고 전했다.

한편 삼성전자는 V낸드 기술이 한계에 다다른 것 아니냐는 질문에 대해서는 부인했다. 이 상무는 "어린 시절 아파트는 10층이었는데 지금엔 100층인 것처럼, 기술혁신은 항상 일어난다"면서 "3세대 SSD가 출시되면 한층 더 높은 기술혁신을 볼 수 있을 것"이라고 말했다.

3비트 V낸드는 3차원 수직구조로 집적도를 높인 V낸드에 데이터 저장 효율을 높인 3비트 기술(TLC·트리플레벨셀)을 적용한 고성능 낸드플래시다. 기존의 10나노미터(nm, 1nm=10억분의 1ｍ)급 평면구조 낸드플래시에 비해 생산성이 2배 이상 높아 원가경쟁력에서 월등한 뿐 아니라 데이터 처리속도, 내구성, 전력 효율성도 크게 향상됐다.



김은별 기자 silverstar@asiae.co.kr
손선희 기자 sheeson@asiae.co.kr
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