삼성전자가 미국 텍사스주 오스틴 공장의 D램 반도체 생산라인을 내년 말 중단하고 낸드플래시 후공정 라인으로 전환키로 했다.

삼성전자 관계자는 16일 "수익성이 떨어진 오스틴 반도체 공장 내의 200㎜(8인치) D램 생산을 오는 10월까지 중단하기로 했다"며 "해당 라인은 약 5억달러를 들여 낸드플래시 후공정 라인으로 개조할 계획"이라고 말했다.

이 공장은 지난 1997년에 설립이후 8인치 D램과 낸드플래시 12인치 제품을 생산해 왔다.

삼성전자는 현재 D램 반도체 생산 물량이 그리 많치 않아 D램 시장에는 별다른 영향이 없을 것으로 내다보고 있다.

앞서 삼성전자는 같은 이유로 올 초 8인치 D램 생산 라인(80나노급 공정)인 화성 10공장 가동을 중단한 바 있다.

이현정 기자 hjlee303@asiae.co.kr
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