Æ÷·³´º½º

±¹³»¿¬±¸Áø, ¾çÀÚÈ¿°ú ÀÀ¿ë ½Å°³³ä ÁýÀûȸ·Î °³¹ß

ÃÖÁ¾¼öÁ¤ 2010.03.23 17:13 ±â»çÀÔ·Â2010.03.23 12:03
±Û¾¾Å©°Ô ±Û¾¾ÀÛ°Ô ÀμâÇϱâ
¾ç°æÈÆ ±³¼ö

[¾Æ½Ã¾Æ°æÁ¦ ±èöÇö ±âÀÚ]±¹³»¿¬±¸ÁøÀÌ ¾çÀÚÈ¿°ú ±â¹ÝÀÇ '°ø¸íÅͳΠ´ÙÀÌ¿Àµå(RTD, Resonant Tunneling Diode)'¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ ÀúÀü·Â ¾Æ³¯·Î±×¡¤µðÁöÅÐ ÁýÀûȸ·Î ÇٽɺÎÇ°À» ¼¼°è ÃÖÃÊ·Î °³¹ßÇÏ´Â µ¥ ¼º°øÇß´Ù. '°ø¸íÅͳΠ´ÙÀÌ¿Àµå'´Â ³ª³ë Å©±â¿¡¼­ ÀϾ´Â ¾çÀÚ È¿°ú Áß ÇϳªÀÎ '°ø¸í ÅͳΠÇö»ó'À» ÀÌ¿ëÇÑ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¸¦ ¸»ÇÑ´Ù. ƯÈ÷ À̹ø ¿¬±¸ ¼º°ú´Â ³ª³ëÀüÀÚ¼ÒÀÚ ±â¼úÀÇ È¹±âÀûÀÎ µ¹Æı¸¸¦ ¸¶·ÃÇÑ °ÍÀ¸·Î Æò°¡¹Þ°í ÀÖ´Ù.

±³À°°úÇбâ¼úºÎ´Â KAIST ¾ç°æÈÆ ±³¼öÆÀÀÌ ¾çÀÚÈ¿°ú ±â¹ÝÀÇ '°ø¸íÅͳΠ´ÙÀÌ¿Àµå'¸¦ ÀÌ¿ëÇØ ¾Æ³¯·Î±×¡¤µðÁöÅÐ Åë½Å¿ë ÁýÀûȸ·ÎÀÇ ÇٽɺÎÇ°ÀÎ ÃÊ°íÁÖÆÄ ¹ßÁø±â ȸ·Î¿Í 4´ë1 ¸ÖƼÇ÷º¼­ ȸ·Î °³¹ß¿¡ ¼º°øÇß´Ù°í 23ÀÏ ¹àÇû´Ù. 4´ë1 ¸ÖƼÇ÷º¼­ ȸ·Î´Â ´À¸° ¼Óµµ·Î ÀԷµǴ 4°³ÀÇ µ¥ÀÌÅ͸¦ ó¸®ÇØ ¼øÂ÷ÀûÀ¸·Î ´õ ºü¸¥ ¼Óµµ·Î ³»º¸³»´Â º´·Ä ȸ·ÎÀ̸ç, ÃÊ°í¼Ó µðÁöÅÐ Åë½Å½Ã½ºÅÛÀÇ ÇÙ½É ºÎÇ°À¸·Î ¾Ë·ÁÁ® ÀÖ´Ù.

À̹ø ¿¬±¸´Â '21¼¼±â ÇÁ·ÐƼ¾î»ç¾÷' Å׶ó±Þ ³ª³ë¼ÒÀÚ°³¹ß»ç¾÷´Ü(´ÜÀå ÀÌÁ¶¿ø)ÀÇ Áö¿øÀ» ¹Þ¾Æ ¼öÇàµÆÀ¸¸ç, ¿¬±¸°á°ú´Â ³ª³ë±â¼úºÐ¾ßÀÇ ¼¼°èÀû Çмú³í¹®ÁöÀÎ 'IEEE ³ª³ëÅ×Å©³î·ÎÁö'¿¡ °ÔÀçµÉ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù.

¶ÇÇÑ ¿ÃÇØ ¿­¸®´Â 'IEEE NANO 2010 ±¹Á¦Çмú´ëȸ'¿Í 'IEEE IPRM 2010 ±¹Á¦Çмú´ëȸ'¿¡¼­µµ °ü·Ã ³»¿ëÀÌ ¹ßÇ¥µÈ´Ù. ±¹³»Æ¯Çã µî·Ï 5°Ç, ¹Ì±¹Æ¯Çã µî·Ï 3°Çµµ È®º¸µÆ´Ù.

ÇöÀç 'CMOS' ±â¼úÀº ¼ÒÀÚ Å©±â°¡ ³ª³ë¹ÌÅÍ·Î ÀÛ¾ÆÁ® ȸ·ÎÀÇ °í¹ÐµµÈ­¿¡ µû¸¥ ¼ÒÀÚ ºÒ±ÕÀÏ ¹× °í¹ß¿­ µîÀÇ ¹®Á¦°¡ ½É°¢ÇÏ°Ô ´ëµÎµÅ 'Beyond CMOS'·Î ´ëÇ¥µÇ´Â ½Å°³³äÀÇ ³ª³ë¼ÒÀÚ ¹× ÁýÀûȸ·Î ¿¬±¸°¡ ÇʼöÀûÀÎ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.

¿¬±¸ÆÀ¿¡ µû¸£¸é ÇöÀç °¡Àå ¸¹ÀÌ ÀÌ¿ëµÇ´Â ³ª³ë¼ÒÀÚ´Â ±Ý¼Ó-Àý¿¬Ã¼-¹ÝµµÃ¼·Î ÀÌ·ïÁö´Â ½Ç¸®ÄÜ ±â¹Ý Àü°èÈ¿°ú Æ®·»Áö½ºÅÍ, 'MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)'ÀÌ´Ù. ÀϹÝÀûÀ¸·Î 'MOSFET'´Â ÀüÀڷμ­ ±¸µ¿µÇ´Â ÇüÅÂ¿Í Á¤°øÀ¸·Î¼­ ±¸µ¿µÇ´Â ÇüÅÂ, 2°¡Áö Á¾·ù°¡ Á¸ÀçÇϸç ȸ·Î ¼³°è ½Ã ÇÊ¿¬ÀûÀ¸·Î ÀÌ µÎ °¡Áö°¡ ÇÔ²² »ç¿ëµÇ´Âµ¥, ÀÌ°°Àº ȸ·Î ¼³°è ±â¼úÀ» »óº¸Çü MOSFET ±â¼ú, Áï 'CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) ±â¼ú'À̶ó°í ºÎ¸¥´Ù.

ÇÏÁö¸¸ ÃÖ±Ù CMOS ±â¼úÀº ¼ö½Ê ³ª³ë¹ÌÅÍ·Î ¼ÒÀÚ Å©±â°¡ ÀÛ¾ÆÁö¸é¼­ ÇâÈÄ 5~10³â ÈÄ Á¦ÀÛ ±â¼úÀÇ ÇÑ°è, ȸ·ÎÀÇ Æ¯¼º ºÒ±ÕÀÏ ¹× º¹Àâµµ Áõ°¡¿¡ µû¸¥ ¿­¹®Á¦ Çö»ó µîÀÌ ½É°¢ÇÏ°Ô ´ëµÎµÉ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÇ°í ÀÖ´Ù. ÀÌ¿¡ µû¶ó CMOS ±â¼úÀÇ ¼º´ÉÀûÀÎ ÇѰ踦 ±Øº¹ÇÏ°íÀÚ ÁøÇàµÇ´Â ¿¬±¸¸¦ ÅëĪÇØ 'Beyond CMOS' ±â¼úÀ̶ó°í ÇÑ´Ù.

¾ç°æÈÆ ±³¼öÆÀÀÇ ±â¼úÀ» È°¿ëÇØ ¸¸µç ÃÊ°íÁÖÆÄ ¹ßÁø±â ȸ·Î´Â ÃֽŠCMOS ±â¹Ý ÁýÀûȸ·Î¿¡ ºñÇØ ¼ÒºñÀü·ÂÀ» 170ºÐÀÇ 1·Î ÁÙÀÏ ¼ö ÀÖ°í, 4´ë1 ¸ÖƼÇ÷º¼­ ÁýÀûȸ·ÎÀÇ °æ¿ì´Â ÃֽŠCMOS ȸ·Î¿¡ ºñÇØ ¼ÒÀÚ¼ö´Â 3ºÐÀÇ 1, Àü·Â¼Ò¸ð´Â 3ºÐÀÇ 2 ÀÌÇÏ·Î ÁÙÀÏ ¼ö ÀÖ´Ù. 'Beyond CMOS' ±â¼ú·Î Çõ½ÅÀûÀÎ ¼º´ÉÇâ»ó ¹× ¿¡³ÊÁö Àý¾àÀÌ °¡´ÉÇÏ´Ù´Â ¾ê±â´Ù.

¶ÇÇÑ »ó¿Â ¹× °í¿Â¿¡¼­µµ ¾ÈÁ¤ÀûÀÎ µ¿ÀÛ Æ¯¼ºÀ» ³ªÅ¸³»´Â ½Ç¿ë¼ºµµ °âºñÇÏ°í ÀÖ°í, ±âÁ¸ÀÇ È­ÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ±â¹Ý ÁýÀûȸ·Î °øÁ¤¼³ºñ¸¦ ±×´ë·Î Àû¿ëÇÒ ¼ö Àֱ⠶§¹®¿¡ ¼ö ³â ³» »ó¿ëÈ­ ¾ç»ê üÁ¦¿¡ µé¾î°¥ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù°í ¿¬±¸ÆÀÀº ¼³¸íÇß´Ù.

¿¬±¸ÆÀÀÌ À̹ø ¿¬±¸¿¡ ÀÀ¿ëÇÑ °ÍÀº '¾çÀÚÈ¿°ú'·Î ÀÌ´Â ¿øÀÚ¿Í ºÐÀÚÀÇ ¼¼°è¿¡¼­ ¹°ÁúÀÌ ÀÔÀڷμ­ÀÇ ¼ºÁú°ú Æĵ¿À¸·Î¼­ÀÇ ¼ºÁúÀ» µ¿½Ã¿¡ º¸ÀÓÀ¸·Î½á ÀϾ´Â È¿°ú¸¦ ¸»ÇÑ´Ù. 10 nm ¼öÁØÀÇ °ø°£¿¡¼­´Â ¹°¸®ÇÐÀûÀÎ °üÁ¡¿¡¼­ ¾çÀÚ¿ªÇÐÀû ¿ø¸®¿¡ ÀÇÇÑ ÀüÀÚÀÇ ¿îµ¿ È¿°ú°¡ Å©°Ô ³ªÅ¸³ª±â ¶§¹®¿¡ À̸¦ ÀÀ¿ëÇÑ ¾çÀÚÈ¿°ú ³ª³ë¼ÒÀÚ´Â ÁýÀûµµÀÇ Çâ»ó »Ó ¾Æ´Ï¶ó, ÀÀ´ä¼Óµµ(switching speed), Àü·Â¼Òºñ µî¿¡¼­ Çâ»óµÈ °á°ú¸¦ º¸Àδٴ °ÍÀÌ ¿¬±¸ÆÀÀÇ ¼³¸íÀÌ´Ù.

ÀÌÁ¶¿ø ´ÜÀåÀº "¾çÀÚÈ¿°ú ÃÊ°íÁÖÆÄ ¹ßÁø±â ȸ·Î´Â ¾à 12Á¶¿ø ±Ô¸ðÀÇ ¹ÙÀÌ¿À¼¾¼­ ½ÃÀå ¹× 2Á¶3000¾ï¿ø¿¡ ´ÞÇÏ´Â À¯ºñÄõÅͽº ÇコÄÉ¾î ½ÃÀå¿¡¼­ ÃÊÀúÀü·Â¿ë ÇÙ½É ºÎÇ°À¸·Î È°¿ëµÉ ¼ö ÀÖ´Ù"¸ç "¶ÇÇÑ 4´ë1 ¸ÖƼÇ÷º¼­´Â ÃÊ°í¼Ó ±¤Åë½Å ½Ã½ºÅÛ¿¡ Àû¿ëµÇ´Â ±âÁ¸ CMOS ±â¹Ý ¸ÖƼÇ÷º¼­¸¦ Áï°¢ÀûÀ¸·Î ´ëüÇÒ ¼ö ÀÖ¾î ¾à 60Á¶¿øÀÇ ±¤¼Û¼ö½Å ¸ðµâ ½ÃÀåÀ» À̲ø¾î °¥ Çٽɱâ¼úÀÌ µÉ °Í"À̶ó°í Àü¸ÁÇß´Ù.

[¾Æ½Ã¾Æ°æÁ¦ Áõ±Ç¹æ¼Û] - 3°³¿ù ¿¬¼Ó 100% ¼öÀÍ ÃÊ°ú ´Þ¼º!

±èöÇö ±âÀÚ kch@asiae.co.kr
<¨Ï¼¼°è¸¦ º¸´Â â °æÁ¦¸¦ º¸´Â ´«, ¾Æ½Ã¾Æ°æÁ¦(www.asiae.co.kr) ¹«´ÜÀüÀç ¹èÆ÷±ÝÁö>
¸ñ·Ï