[아시아경제 배경환 기자] 삼성전자가 세계 최초로 3비트 기술을 적용한 3차원 V낸드플래시 메모리 양산을 시작했다고 9일 밝혔다. 3비트 V낸드는 삼성전자가 지난 5월부터 양산하기 시작한 2세대 V낸드에 3비트 기술을 적용한 10나노미터(nm·1nm = 10억분의 1ｍ)급 128기가비트 제품이다.

이 제품은 셀을 32단으로 쌓아올리는 2세대 V낸드 공정을 유지하면서 데이터 저장 최소 단위인 셀 하나에 저장되는 데이터 수를 기존 2개에서 3개로 늘려 셀 저장 용량을 1.5배로 확대했다. 이에 따라 기존의 10나노급 평면구조 낸드플래시보다는 생산성이 2배 이상 향상됐다.

트리플레벨셀(TLC)로 불리는 3비트 기술은 지금까지 평면구조 낸드플래시에만 적용된 상태로 수직구조의 V낸드에 적용된 것은 처음이다.

삼성전자는 기존에 수평으로 배열하던 셀을 수직으로 쌓음으로써 낸드플래시 미세공정의 한계를 극복한 V낸드를 지난해부터 유일하게 양산하고 있다. 또한 지난해 8월 1세대(24단), 올해 5월 2세대(32단) V낸드에 이어 이번에는 2세대 기반의 3비트 V낸드 양산 체제를 갖춤으로써 차세대 V낸드 기술 진화를 이끌며 독보적인 경쟁력을 확보했다.

한재수 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 전무는 “향후 3비트 V낸드 기반 고용량 솔리드스테이트드라이브(SSD) 출시를 통해 관련 사업에서 고성장세를 더욱 가속화할 것”이라고 말했다.

한편 지난 2012년 최초로 3비트 평면구조 낸드 기반의 SSD를 양산해 3비트 플래시메모리 시장을 선점한 삼성전자는 이번 3비트 V낸드 양산을 통해 낸드플래시 시장을 더욱 확대시켜 나간다는 전략이다.

삼성전자가 세계 최초로 양산을 본격화한 3bit V-NAND

배경환 기자 khbae@asiae.co.kr
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